[发明专利]电荷耦合元件及其制造方法、以及固体摄像装置

摘要

各个像素区域(PX)具备光电转换区域(S1)、电阻性栅极电极(R)、第一传送电极(T1)、第二传送电极(T2)、位于半导体基板(10)中第一传送电极(T1)的正下方的屏障区域(B)、及位于半导体基板(10)中第二传送电极(T2)的正下方的电荷储存区域(S2)。屏障区域(B)的杂质浓度低于电荷储存区域(S2)的杂质浓度，且第一传送电极(T1)与第二传送电极(T2)电连接。

主权项

1.一种电荷耦合元件，其具备：半导体基板，其具有排列于一个方向上的多个像素区域；以及绝缘膜，其设置于所述半导体基板上；该电荷耦合元件的特征在于：各个像素区域具备：光电转换区域，其对所入射的能量线进行光电转换；倾斜电位形成构件，其在所述光电转换区域内形成促进沿着所述一个方向的电荷的传送的电位倾斜；第一传送电极，其设置于所述绝缘膜上；第二传送电极，其设置于所述绝缘膜上，且配置于所述第一传送电极与邻接于该像素区域的像素区域之间；屏障区域，其位于所述半导体基板中的所述第一传送电极的正下方；以及电荷储存区域，其位于所述半导体基板中的所述第二传送电极的正下方；并且，所述屏障区域的杂质浓度低于所述电荷储存区域的杂质浓度；所述第一传送电极与所述第二传送电极电连接。