[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 201480058364.3 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105659370A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 久保田大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种显示质量优良的显示装置。该显示装置包括第一衬底上的晶体管、与晶体管接触的无机绝缘膜以及与无机绝缘膜接触的有机绝缘膜。该晶体管包括第一衬底上的栅电极、与栅电极重叠的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜的一个表面接触的栅极绝缘膜以及与氧化物半导体膜接触的一对电极。无机绝缘膜与氧化物半导体膜的另一个表面接触。有机绝缘膜隔着无机绝缘膜与氧化物半导体膜重叠并被分离。另外，有机绝缘膜的厚度优选大于或等于500nm且小于或等于10μm。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示装置，包括：第一衬底上的晶体管；所述晶体管上的无机绝缘膜；位于所述无机绝缘膜上且与所述无机绝缘膜接触的有机绝缘膜；以及位于所述无机绝缘膜上且与所述无机绝缘膜接触的像素电极，该像素电极与所述晶体管电连接，其中，所述晶体管包括：所述第一衬底上的栅电极；所述栅电极上的氧化物半导体膜；以及所述栅电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜，所述氧化物半导体膜的顶面与所述无机绝缘膜接触，所述有机绝缘膜隔着所述无机绝缘膜与所述氧化物半导体膜重叠，并且，所述栅电极的端部位于所述有机绝缘膜的端部的外侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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