[发明专利]等离子体流枪以及等离子体回路组件有效

专利信息
申请号: 201480058435.X 申请日: 2014-10-23
公开(公告)号: CN105723498B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 阿里·夏奇;大卫·索尼什恩;麦可·基什尼夫斯基;安德鲁·B·考;葛雷哥里·E·斯特拉托蒂 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01J37/317
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种使用于离子植入系统的等离子体流枪以及等离子体回路组件。等离子体流枪包括绝缘块部分以及配置于绝缘块部分的相对两侧上的第一导电块部分与第二导电块部分。导电带可耦接于第一导电块部分与第二导电块部分之间。导电块部分与中心体部分包括一起形成密闭回路等离子体腔室的凹处。为了将射频电功率感应耦合至密闭回路等离子体腔室中以激发气体物质来产生等离子体,电源耦接于导电块部分。在第二导电块部分中的凹处包括紧缩区域,其中紧缩区域的截面尺寸小于与紧缩区域直接相邻的部分的密闭回路等离子体腔室的截面面积。紧缩区域可紧邻在形成于第二导电部分中的出口部分。
搜索关键词: 电荷 中和 紧缩 淹没 等离子体
【主权项】:
1.一种等离子体流枪,使用于离子植入系统,其特征在于,所述等离子体流枪包括:绝缘块部分,具有基座部分与中心体部分;第一导电块部分与第二导电块部分,配置于所述基座部分上以及配置于所述中心体部分的相对两侧上;以及导电带,耦接所述第一导电块部分与所述第二导电块部分;所述第一导电块部分、所述第二导电块部分与所述中心体部分包括形成于其中的各自凹处,所述各自凹处一起形成密闭回路等离子体腔室,其中所述第一导电块部分与所述第二导电块部分接收射频电功率以在所述密闭回路等离子体腔室内藉由激发气体物质以产生等离子体;以及其中在所述第二导电块部分中的所述各自凹处包括紧缩区域,其中所述紧缩区域的截面尺寸小于与所述紧缩区域直接相邻的部分的所述密闭回路等离子体腔室的截面尺寸,所述紧缩区域紧邻具有出口孔的出口部分。
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