[发明专利]等离子体流枪以及等离子体回路组件有效
申请号: | 201480058435.X | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN105723498B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 阿里·夏奇;大卫·索尼什恩;麦可·基什尼夫斯基;安德鲁·B·考;葛雷哥里·E·斯特拉托蒂 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种使用于离子植入系统的等离子体流枪以及等离子体回路组件。等离子体流枪包括绝缘块部分以及配置于绝缘块部分的相对两侧上的第一导电块部分与第二导电块部分。导电带可耦接于第一导电块部分与第二导电块部分之间。导电块部分与中心体部分包括一起形成密闭回路等离子体腔室的凹处。为了将射频电功率感应耦合至密闭回路等离子体腔室中以激发气体物质来产生等离子体,电源耦接于导电块部分。在第二导电块部分中的凹处包括紧缩区域,其中紧缩区域的截面尺寸小于与紧缩区域直接相邻的部分的密闭回路等离子体腔室的截面面积。紧缩区域可紧邻在形成于第二导电部分中的出口部分。 | ||
搜索关键词: | 电荷 中和 紧缩 淹没 等离子体 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体流枪,使用于离子植入系统,其特征在于,所述等离子体流枪包括:绝缘块部分,具有基座部分与中心体部分;第一导电块部分与第二导电块部分,配置于所述基座部分上以及配置于所述中心体部分的相对两侧上;以及导电带,耦接所述第一导电块部分与所述第二导电块部分;所述第一导电块部分、所述第二导电块部分与所述中心体部分包括形成于其中的各自凹处,所述各自凹处一起形成密闭回路等离子体腔室,其中所述第一导电块部分与所述第二导电块部分接收射频电功率以在所述密闭回路等离子体腔室内藉由激发气体物质以产生等离子体;以及其中在所述第二导电块部分中的所述各自凹处包括紧缩区域,其中所述紧缩区域的截面尺寸小于与所述紧缩区域直接相邻的部分的所述密闭回路等离子体腔室的截面尺寸,所述紧缩区域紧邻具有出口孔的出口部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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