[发明专利]电阻式存储器中的写脉冲宽度方案在审
| 申请号： | 201480058644.4 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105659331A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | T·金;J·P·金;S·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C29/24;G11C13/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 电阻式存储器阵列包括控制器、耦合至该控制器的测试复位驱动器、也耦合至该控制器的测试写驱动器、以及也耦合至该控制器的测试读感测放大器。电阻式存储器阵列还包括表示电阻式存储器宏的测试电阻式存储器元件集。该测试电阻式存储器元件耦合至测试复位驱动器、测试写驱动器和测试读感测放大器。测试电阻式存储器元件中之一的状态变化表示电阻式存储器宏中的相应元件集的状态变化。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 中的 脉冲宽度 方案 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器阵列，包括：控制器；耦合至所述控制器的测试复位驱动器；耦合至所述控制器的测试写驱动器；耦合至所述控制器的测试读感测放大器；以及表示电阻式存储器宏的多个测试电阻式存储器元件，所述多个测试电阻式存储器元件耦合至所述测试复位驱动器、所述测试写驱动器以及所述测试读感测放大器，其中所述多个测试电阻式存储器元件中的至少一者的状态变化表示所述电阻式存储器宏中的多个相应元件的状态变化。
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