[发明专利]离子源和清洗及操作离子源的方法有效
申请号: | 201480058775.2 | 申请日: | 2014-10-09 |
公开(公告)号: | CN105684130B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 克里斯多夫·J·里维特;彼得·F·库鲁尼西 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317;H01L21/302 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 李艳;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 揭示离子源和清洗及操作离子源的方法。所述离子源包含离子源腔室、抑制电极和接地电极。在处理模式中,所述离子源腔室可被偏压到第一正电压,而所述抑制电极被偏压到负电压以经由孔径且朝向工件从所述腔室内吸引正离子。在清洗模式中,离子束散焦以使得其撞击所述抑制电极和所述接地电极。施加到所述离子源腔室和所述电极的电压被脉冲化以将这清洗模式期间的故障的可能性减到最小。 | ||
搜索关键词: | 使用 脉冲 偏压 清洗 撷取 电极 组件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种离子源,包括:离子源腔室,用于在处理模式期间产生处理电浆且在清洗模式期间产生清洗电浆,所述离子源腔室具有撷取孔径;抑制电极,具有抑制电极孔径,所述抑制电极设置于所述离子源腔室外且接近所述撷取孔径,其中在所述清洗模式期间从所述撷取孔径撷取的离子束散焦以便撞击所述抑制电极;以及偏压系统,经配置以在所述清洗模式期间周期性地阻止所述离子束撞击所述抑制电极,且在所述离子束被周期性地阻止时将所述抑制电极和所述离子源腔室接地。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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