[发明专利]红外线检测元件有效
| 申请号： | 201480059033.1 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105684164B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 三嶋飞鸟;押村吉德 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种红外线检测元件。该红外线检测元件具备缓冲层(InAsSb层)(3)、缓冲层(InAs层)(4)、及光吸收层(InAsSb层)(5)。InAs层的临界膜厚hc与InAs层的厚度t满足hc＜t的关系。在该情况下，可以改善形成于缓冲层(3)上的InAs的缓冲层(4)及InAsSb的光吸收层(5)的结晶性。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 检测 元件 | ||
【主权项】：
一种红外线检测元件，其特征在于，所述红外线检测元件具备：第1InAsSb层；InAs层，其生长于所述第1InAsSb层上；及第2InAsSb层，其生长于所述InAs层上，所述InAs层的临界膜厚hc与所述InAs层的厚度t满足hc＜t的关系，所述第1InAsSb层及所述第2InAsSb层中的As的组成比X分别为0.7以上且0.9以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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