[发明专利]多晶硅的制备方法有效

专利信息
申请号: 201480059376.8 申请日: 2014-10-17
公开(公告)号: CN105829246B 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: H·沃赫纳 申请(专利权)人: 瓦克化学股份公司
主分类号: C01B33/027 分类号: C01B33/027;C01B33/035;F24F3/16
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 彭丽丹,过晓东
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种制备多晶硅的方法,所述方法包括使多晶硅沉积于载体上,以获得多晶硅棒,或使多晶硅沉积于硅粒子上,以获得多晶硅颗粒,其中每种沉积都在位于1‑100000级的洁净室中的反应器中进行,其中将经过滤的空气通入到所述洁净室中。为了过滤,首先使所述空气由至少一个除去大于或等于1μm的粒子的过滤器中通过,然后由除去小于1μm的粒子的HEPA过滤器中通过。
搜索关键词: 多晶 制备 方法
【主权项】:
一种制备多晶硅的方法,所述方法包括使多晶硅沉积于至少一个载体上,以获得至少一个多晶硅棒,或者使多晶硅沉积于硅粒子上,以获得多晶硅颗粒,其中每种沉积都在设置于1至100000级的洁净室内的反应器中进行,其中将经过滤的空气通入到所述洁净室中,其中所述空气是通过以下方法过滤的:首先使其由聚丙烯制成的G4级的粗粉尘过滤器和由合成聚酯材料制成的M6级的细粉尘过滤器中通过,其中所述粗粉尘过滤器和细粉尘过滤器的过滤垫含有少于0.1重量%的硼和磷以及少于0.01重量%的砷和铝。
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