[发明专利]磁控溅射用靶有效
| 申请号： | 201480059875.7 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105934532B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 后藤康之;小林优辅;渡边恭伸 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁雯雯;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种漏磁通大、不用担心成膜时的组成发生变动、并且能够在稳定的电压下进行成膜的新型溅射靶。一种溅射靶，其由(1)含有Co和Pt且Pt相对于Co的比例为4～10原子％的Co‑Pt磁性相、(2)含有Co、Cr和Pt且Co与Cr的比率为Cr：30原子％以上、Co：70原子％以下的Co‑Cr‑Pt非磁性相和(3)含有微细分散的金属氧化物的氧化物相构成。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射用靶，其具有由(1)不含氧化物、含有Co和Pt且Pt的比例为4～10原子％的Co‑Pt磁性相、(2)不含氧化物、含有Co、Cr和Pt且相对于Co和Cr的合计的Co与Cr的比率为Cr：30原子％以上、Co：70原子％以下的Co‑Cr‑Pt非磁性相和(3)含有Co、Cr、Pt以及微细分散的金属氧化物的氧化物相构成的三相结构。
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