[发明专利]使用斜切衬底的高功率氮化镓电子器件有效
| 申请号： | 201480060457.X | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105765725B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | I·C·克孜勒亚尔勒;D·P·博尔;T·R·普朗蒂;叶刚锋 | 申请（专利权）人： | 新时代电力系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子器件包括：III‑V族衬底，其具有同质晶体结构和关于生长面的法线，该关于生长面的法线相对于<0001>方向的取向偏差在0.15°与0.65°之间。该电子器件还包括联接到III‑V族衬底的第一外延层和联接到第一外延层的第二外延层。该电子器件还包括电接触衬底的第一接触件和电接触第二外延层的第二接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 斜切 衬底 功率 氮化 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：III‑V族衬底，具有同质晶体结构和关于生长面的法线，该关于生长面的法线相对于<0001>方向的取向偏差在0.15°与0.65°之间；第一外延层，联接到所述III‑V族衬底；第二外延层，联接到所述第一外延层；第一接触件，电接触所述衬底；以及第二接触件，电接触所述第二外延层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新时代电力系统有限公司，未经新时代电力系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480060457.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
