[发明专利]装卸器晶片移除有效
| 申请号： | 201480060788.3 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105960707B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 党兵;S·H·尼克尔伯克尔;小道格拉斯·C·拉图利佩;S·斯科尔达斯;C·K·曾;K·R·温斯特尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 开曼群岛（英*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种移除装卸器晶片的方法。提供装卸器晶片和具有多个半导体装置的半导体装置晶片，该半导体装置晶片具有有源表面侧和无源表面侧。对装卸器晶片的表面施加非晶碳层。对装卸器晶片的非晶碳层和半导体装置晶片的有源表面侧中的至少一个施加粘合层。装卸器晶片通过一个或者多个粘合层接合至半导体装置晶片。对装卸器晶片施加激光辐射以引起非晶碳层的加热，该非晶碳层的加热进而引起一个或者多个粘合层的加热。随后使半导体装置晶片的多个半导体装置从装卸器晶片分离。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 装卸器 半导体装置 非晶碳层 粘合层 加热 源表面 施加 表面施加 激光辐射 晶片分离 晶片移除 无源表面 接合 移除 | ||
【主权项】：
1.一种移除装卸器晶片的方法，所述方法包括：提供装卸器晶片和具有多个半导体装置的半导体装置晶片，所述半导体装置晶片具有有源表面侧和无源表面侧；对所述装卸器晶片的表面施加非晶碳层；对所述装卸器晶片的所述非晶碳层和所述半导体装置晶片的所述有源表面侧中的至少一个施加粘合层；通过一个或者多个所述粘合层将所述装卸器晶片接合至所述半导体装置晶片；对所述装卸器晶片施加激光辐射以引起所述非晶碳层的加热，所述非晶碳层的加热进而引起一个或者多个所述粘合层的加热；以及使所述半导体装置晶片的所述多个半导体装置从所述装卸器晶片分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
