[发明专利]高温计的背景消除有效
申请号: | 201480061109.4 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN105765706B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 托德·B·帕特森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在此揭示的多个具体实施方式提供了一种用于处理基板的快速热处理(RTP)系统。RTP腔室具有辐射源,所述辐射源经配置以供应辐射至安置于处理空间中的基板。一个或多个高温计耦接至所述腔室主体,与所述辐射源相对。在一个范例中,所述辐射源安置于所述基板下方,并且所述高温计安置于所述基板上方。在另一个范例中,所述辐射源安置于所述基板上方并且所述高温计安置于所述基板下方。所述基板可以以各种方式支撑,所述方式经配置以减少所述基板支座与所述基板之间的物理接触。边缘环与屏蔽件安置于所述处理空间之中,并经配置以降低或消除背景辐射对所述高温计的干扰。此外,吸收表面可以耦接至所述腔室主体,以进一步降低背景辐射干扰。 | ||
搜索关键词: | 高温 背景 消除 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:腔室主体,所述腔室主体界定处理空间;辐射源,所述辐射源耦接至所述腔室主体;一个或多个高温计,所述一个或多个高温计耦接至所述腔室主体,与所述辐射源相对;支撑环,所述支撑环安置于所述处理空间之中;边缘环,所述边缘环安置于所述支撑环上;以及辐射遮蔽件,所述辐射遮蔽件安置于所述边缘环上方,其中所述辐射遮蔽件的内部直径在所述边缘环的基板支撑构件之上并在所述边缘环的最上方表面的上方径向朝内延伸,并且其中所述辐射遮蔽件经构造以延伸过支撑在所述边缘环上的基板的外部部分,并于所述外部部分上方延伸。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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