[发明专利]使用外延-扭转的Si(100)基板上的GaN有效
| 申请号： | 201480061139.5 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105793958B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吕蒂斯·达吉斯;安德鲁·克拉克;埃德姆·阿尔昆;扎德克·劳奇卡 | 申请（专利权）人： | 全斯鲁森特公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L21/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陆弋;金洁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在硅基板上生长GaN材料的方法，包括：提供具有(100)表面取向或带有最高达10°偏移的(100)表面取向的单晶硅基板；以及，使用外延‑扭转技术，在所述硅基板上外延生长单晶应力管理层。该单晶应力管理层包括具有(110)晶体取向和立方晶体结构的稀土氧化物。所述方法还包括在所述应力管理层上外延生长单晶缓冲层。该单晶缓冲层包括稀土氧化物，该稀土氧化物具有比应力管理层的稀土氧化物更接近于GaN的晶格间距的晶格间距。在所述缓冲层的表面上外延生长单晶GaN材料的层，所述GaN材料具有(11‑20)晶体取向和(0001)晶体取向中的一种。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 外延 扭转 si 100 基板上 gan | ||
【主权项】：
1.一种在硅基板上生长GaN材料的方法，包括以下步骤：提供具有(100)表面取向或带有最高达10°偏移的(100)表面取向的单晶硅基板；使用外延‑扭转技术，在所述硅基板上外延生长单晶应力管理层，所述单晶应力管理层包括具有(110)晶体取向和立方晶体结构的稀土氧化物；在所述应力管理层上外延生长单晶缓冲层，所述单晶缓冲层包括稀土氧化物，所述稀土氧化物具有比所述应力管理层的稀土氧化物更接近于GaN的晶格间距的晶格间距；以及在所述缓冲层的表面上外延生长单晶GaN材料的层，所述GaN材料具有(11‑20)晶体取向和(0001)晶体取向中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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