[发明专利]用于制造太阳能电池的方法在审
| 申请号： | 201480062121.7 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105723520A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | T·博斯克;D·卡尼亚 | 申请（专利权）人： | 离子射线服务公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邓斐 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于由晶体半导体材料制造太阳能电池(1)的方法，其中，在半导体衬底(3)的第一表面(3a)中通过向内热扩散第一掺杂剂构成第一掺杂区域(5)并且在半导体衬底的第二表面(3b)中通过离子注入和向内热扩散第二掺杂剂构成第二掺杂区域(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
用于由晶体半导体材料制造太阳能电池(1)的方法，其中，在半导体衬底(3)的第一表面(3a)中通过向内热扩散第一掺杂剂构成第一掺杂区域(5)并且在半导体衬底的第二表面(3b)中通过离子注入和向内热扩散第二掺杂剂构成第二掺杂区域(7)，其中，通过离子注入第二掺杂剂在第二表面上和附近构成掺杂剂沉积层并且在第二表面上产生扩散阻碍层(9b)，用以阻碍第二掺杂剂从第二表面扩散出并且此后实施至少一个热工艺步骤，用以构成第一和第二掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
