[发明专利]用于太阳能电池和其他半导体装置的钝化的方法、设备和系统

摘要

提供了一种通过使用结隔离和磷硅酸盐玻璃(PSG)/硼硅酸盐玻璃(BSG)蚀刻的现有工具经由室温湿化学生长(RTWCG)工艺来钝化半导体装置的方法。半导体装置的背侧处理在单一步骤中实现了钝化和结隔离，而正侧处理同时实现了钝化、PSG/BSG蚀刻、抗反射涂层以及电势诱发衰减(PID)减缓。随后通过将钝化形成方法集成到传统太阳能制造系统中来提供一种修改的太阳能制造方法。形成的太阳能电池包括具有正面和背面的半导体基板。正面涂覆有小于50nm厚的SiOx层，且SiNx层被沉积在该SiOx层上。在背面，涂覆有另一SiOx层。实验数据显示了高的效率以及太阳能电池减缓的PID。

主权项

1.一种通过使用结隔离和磷硅酸盐玻璃(PSG)/硼硅酸盐玻璃(BSG)蚀刻太阳能电池处理工具经由室温湿化学生长(RTWCG)工艺来促进钝化发射极和背面电池(PERC)的制造的方法，所述方法包括：(A)通过处理工具的第一化学剂量单元将第一RTWCG溶液放置在耦接到结隔离处理罐的第一容器中；(B)将用于PERC的半导体基板的至少一部分放置在所述结隔离处理罐中并且在结隔离处理罐中允许在半导体基板的该部分和第一RTWCG溶液之间的接触以便促进背侧氧化物钝化层在所述半导体基板的背侧上的生长，从而提供背侧钝化基板，其中，由第一化学剂量单元将在结隔离处理罐中的第一RTWCG溶液从第一容器进行递送；(C)使用去离子(DI)水将背侧钝化基板在处理工具的第一冲洗罐中进行冲洗以便提供经冲洗的背侧钝化基板；(D)通过处理工具的第二化学剂量单元将第二RTWCG溶液放置在耦接到PSG/BSG蚀刻储罐的第二容器中；(E)将经冲洗的背侧钝化基板放置在PSG/BSG蚀刻储罐中并且在PSG/BSG蚀刻储罐中允许经冲洗的背侧钝化基板与第二RTWCG溶液之间的接触以便促进在所述基板的正侧上的具有小于50nm厚度的正侧氧化物钝化层的生长，从而提供正侧和背侧钝化基板，其中，由所述第二化学剂量单元将在PSG/BSG蚀刻储罐中的第二RTWCG溶液从所述第二容器进行递送；并且(F)通过使用耦接到PSG/BSG蚀刻储罐的冲洗和干燥站对所述正侧和背侧钝化基板进行冲洗和干燥，其中，所述第一RTWCG溶液和所述第二RTWCG溶液的每个包括含碘化合物，含氟化物酸，非氧化酸和水。