[发明专利]金属浮栅复合3D NAND存储器装置和相关方法有效
| 申请号： | 201480062883.7 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106104803B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | F·A·辛塞克-埃格;N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L29/788 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜冰;付曼 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种具有改良的制程余裕和增强的性能的3D NAND存储器结构。这样的存储器结构可包括：安置于第一绝缘层和第二绝缘层之间的控制栅极材料和浮动栅极材料、安置于控制栅极材料和浮动栅极材料之间的金属层、安置于金属层和控制栅极材料之间的多晶层间介电(IPD)层，使得该IPD层将控制栅极材料与浮动栅极材料电隔离，以及相对控制栅极材料而耦合于浮动栅极材料的隧道介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 复合 nand 存储器 装置 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作3D NAND存储器结构的方法，所述3D NAND存储器结构具有改良的制程余裕和增强的性能，所述方法包括：/n将单元柱沟槽蚀刻至单元堆叠衬底中，所述单元堆叠衬底具有安置于选择栅极源区上的导电材料和绝缘材料的交替层；/n在导电材料层处将多个浮动栅极凹槽蚀刻至所述单元柱沟槽的侧壁中；/n在所述多个浮动栅极凹槽中形成多晶层间介电(IPD)层；/n将金属层沉积至所述多个浮动栅极凹槽中的所述多晶层间介电层上；/n将浮动栅极层沉积至所述多个浮动栅极凹槽中的所述金属层上以形成多个浮动栅极单元，所述多个浮动栅极单元具有由所述金属层围绕在至少三侧上的浮动栅极核心。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
