[发明专利]透明导电体及透明导电体的制造方法在审
| 申请号： | 201480063011.2 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105745720A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 井上纯一 | 申请（专利权）人： | 迪睿合电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B7/02;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供具备具有各向同性导电性的使用了金属纳米线的透明导电膜的透明导电体。第一透明导电体为具备基材和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，所述基材含有光学各向同性材料，所述透明导电膜含有金属纳米线，且TD方向与MD方向上的表面电阻值的比(TD/MD)为0.6以上且小于1.5。第二透明导电体为具备基材、设置在该基材上的中间层和设置在该中间层上的透明导电膜的透明导电体，所述中间层含有光学各向同性材料，所述透明导电膜含有金属纳米线，且TD方向与MD方向上的表面电阻值的比(TD/MD)为0.6以上且小于1.5。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电体，为具备基材和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，其特征在于，所述基材含有光学各向同性材料，所述透明导电膜含有金属纳米线，且宽度方向的表面电阻值与搬运方向的表面电阻值的比为0.6以上且小于1.5。
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