[发明专利]双晶体管三态随机存取存储器在审
| 申请号： | 201480063353.4 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105849808A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | S·P·曹尤西斯 | 申请（专利权）人： | 兰格尔-曹尤西斯技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/40;G11C11/411 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 钟强;谢雪闽 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种双晶体管三态随机存取存储器(TTTRAM)电路，包括电压/电流输入，输入/输出开关，第一晶体管，第一上拉电阻器，第二晶体管，以及第二上拉电阻器。第一晶体管具有第一发射极、与输入/输出开关相连接的第一集电极以及第一基极。第一上拉电阻器与第一发射极以及电压/电流输入相连接。第二晶体管具有与接地端相连接的第二发射级、第二集电极以及与输入/输出开关相连接的第二基极。第二上拉电阻器与第一基极、第二集电极以及电压/电流输入相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 双晶 三态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种双晶体管三态随机存取存储器(TTTRAM)电路，包括：电压/电流输入；输入/输出开关；第一晶体管，具有：第一发射极；与所述输入/输出开关相连接的第一集电极；以及第一基极；与所述第一发射极和所述电压/电流输入相连接的第一上拉电阻器；第二晶体管，具有：与接地端相连接的第二发射级；第二集电极；以及与所述输入/输出开关相连接的第二基极；以及与所述第一基极、所述第二集电极以及所述电压/电流输入相连接的第二上拉电阻器。
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