[发明专利]具有吸收层的发光半导体器件有效
| 申请号： | 201480063386.9 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105849917B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 伊瓦尔·通林;彼得鲁斯·松德格伦 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/30;H01L33/44;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，其中半导体层序列具有吸收区域(3)和设置用于产生峰值波长在近红外光谱范围中的辐射的有源区域(20)，其中吸收区域至少部分地吸收短波长的辐射份额，所述短波长的辐射份额具有小于峰值波长的极限波长。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 吸收 发光 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，其中所述半导体层序列具有吸收区域(3)和设置用于产生峰值波长在近红外光谱范围中的辐射的有源区域(20)，其中‑所述吸收区域至少部分地吸收短波长的辐射份额，所述短波长的辐射份额具有小于所述峰值波长的极限波长；‑所述吸收区域在名义上是未掺杂的；‑所述半导体器件具有用于外部电接触所述半导体器件的第一接触部(51)和第二接触部(52)；并且‑所述吸收区域设置在所述第一接触部和所述第二接触部之间的伸展穿过所述有源区域的电流路径之外。
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