[发明专利]导电结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201480063415.1 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105745610B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 林振炯;章盛晧;李一何;金起焕;金容赞;尹晶焕;朴赞亨 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 张皓;徐琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请文件涉及用于通过改善吸光度并防止导电层的反射来改善所述导电层的隐蔽性能而不会影响所述导电层的导电性的发明。为此，根据本发明的导电结构包括：基板，导电层，以及设置于所述导电层的一个表面上的暗化层，所述暗化层包含由CUxOyNz表示的铜和氮氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电结构体，其包括：基板；设置于所述基板上的导电层；以及设置于所述导电层的至少一个表面上的暗化层，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x‑3z)]<0.1，其中，所述硝酸铜具有0.16以下的y+z值，其中，所述暗化层在85℃和85RH的环境下经过120小时之后在380nm至780nm的波长范围内具有20％以下的平均光反射率变化，以及其中，所述暗化层的厚度大于或等于0.1nm且小于或等于60nm。
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