[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201480063979.5 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105993065B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 后藤哲也;竹下诚 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/312;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括：在基板上形成含有无机氧化物半导体的半导体层的半导体层形成工序、以覆盖所述半导体层的方式成膜由有机材料构成的钝化膜的钝化膜形成工序、对所述钝化膜进行烧制的烧制工序、以及烧制后进行冷却的冷却工序，所述半导体元件的制造方法的特征在于，将进行所述冷却工序中的冷却时从所述烧制工序的烧制时的烧制温度至比烧制时的烧制温度低50℃的温度的冷却速度实质上控制在0.5～5℃/分钟的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，包括：在基板上形成含有无机氧化物半导体的半导体层的半导体层形成工序、以覆盖所述半导体层的方式成膜由有机材料构成的钝化膜的钝化膜形成工序、对所述钝化膜进行烧制的烧制工序、以及烧制后进行冷却的冷却工序，所述半导体元件的制造方法的特征在于，将进行所述冷却工序中的冷却时从所述烧制工序的烧制时的烧制温度至比烧制时的烧制温度低50℃的温度的冷却速度实质上控制在0.5～5℃/分钟的范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
