[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201480064023.7 申请日: 2014-11-11
公开(公告)号: CN105917463B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 门口卓矢;川岛崇功 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/433;H01L23/495
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;黄亚男
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体装置(1),包括:基板(10)、半导体元件(20)、端子(42)以及焊料流出防止部(12x)。所述半导体元件通过第一焊料层(51)固定在基板的一侧上。所述端子通过第二焊料层(53)固定在基板的所述一侧上。所述焊料流出防止部形成于在基板的所述一侧中的半导体元件和端子之间,并且构造为防止第一焊料层和第二焊料层流出。所述焊料流出防止部与所述半导体元件之间的距离长于第一焊料层的厚度。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于包括:基板;半导体元件,其通过第一焊料层固定在所述基板的一侧上;端子,其通过第二焊料层固定在所述基板的所述一侧上;及焊料流出防止部,其设置于所述基板的所述一侧中的所述半导体元件与所述端子之间,并且构造为防止所述第一焊料层和所述第二焊料层流出,其中所述焊料流出防止部与所述半导体元件之间的距离长于所述第一焊料层的厚度并构造为防止所述第一焊料层的焊料触及所述焊料流出防止部,所述焊料流出防止部是形成于所述基板的所述一侧上的沟槽,并且所述端子的第一端固定在所述沟槽上方,所述基板具有绝缘层和形成于所述绝缘层上的配线层,所述沟槽形成于所述配线层中,并且所述端子的所述第一端穿过所述沟槽直接与所述绝缘层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社,未经丰田自动车株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480064023.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top