[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201480064023.7 | 申请日: | 2014-11-11 |
公开(公告)号: | CN105917463B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 门口卓矢;川岛崇功 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L23/433;H01L23/495 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;黄亚男 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体装置(1),包括:基板(10)、半导体元件(20)、端子(42)以及焊料流出防止部(12x)。所述半导体元件通过第一焊料层(51)固定在基板的一侧上。所述端子通过第二焊料层(53)固定在基板的所述一侧上。所述焊料流出防止部形成于在基板的所述一侧中的半导体元件和端子之间,并且构造为防止第一焊料层和第二焊料层流出。所述焊料流出防止部与所述半导体元件之间的距离长于第一焊料层的厚度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于包括:基板;半导体元件,其通过第一焊料层固定在所述基板的一侧上;端子,其通过第二焊料层固定在所述基板的所述一侧上;及焊料流出防止部,其设置于所述基板的所述一侧中的所述半导体元件与所述端子之间,并且构造为防止所述第一焊料层和所述第二焊料层流出,其中所述焊料流出防止部与所述半导体元件之间的距离长于所述第一焊料层的厚度并构造为防止所述第一焊料层的焊料触及所述焊料流出防止部,所述焊料流出防止部是形成于所述基板的所述一侧上的沟槽,并且所述端子的第一端固定在所述沟槽上方,所述基板具有绝缘层和形成于所述绝缘层上的配线层,所述沟槽形成于所述配线层中,并且所述端子的所述第一端穿过所述沟槽直接与所述绝缘层接触。
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