[发明专利]半导体装置及其写入方法在审
| 申请号： | 201480064108.5 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105765662A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 加藤纯男;上田直树 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C17/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置(1001)具备存储单元和写入控制电路，存储单元包含存储晶体管(10A)，存储晶体管(10A)具有含有金属氧化物的活性层(7A)，存储晶体管(10A)是能从漏极电流Ids依赖于栅极‐源极间电压Vgs的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极‐源极间电压Vgs的电阻体状态的晶体管，在将存储晶体管(10A)的阈值电压设为Vth，将漏极‐源极间电压设为Vds时，写入控制电路以满足Vgs≥Vds+Vth的方式对施加到漏极(9dA)、源极(9sA)以及栅极电极(3A)的电压进行控制，由此进行向存储晶体管(10A)的写入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：至少1个存储单元；以及写入控制电路，其对向上述至少1个存储单元的写入进行控制，上述至少1个存储单元包含具有活性层的存储晶体管，上述活性层含有金属氧化物，上述存储晶体管是能从漏极电流Ids依赖于栅极‐源极间电压Vgs的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极‐源极间电压Vgs的电阻体状态的晶体管，在将上述存储晶体管的阈值电压设为Vth，将上述存储晶体管的漏极‐源极间电压设为Vds时，上述写入控制电路以满足Vgs≥Vds+Vth的方式对施加到上述存储晶体管的漏极电极、源极电极以及栅极电极的电压进行控制，由此进行向上述存储晶体管的写入。
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