[发明专利]用于射频集成无源器件的具有降低的射频损耗的高电阻硅衬底有效
| 申请号： | 201480064496.7 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105993072B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | A·阿帕里纳 | 申请（专利权）人： | 奥克美蒂克公共有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L21/02;G06K19/077;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本申请涉及一种用于射频集成无源器件的具有降低的射频损耗的高电阻率硅衬底(100)。该衬底包括包含有高电阻率体硅的体区(110)和包括在体区之上的破裂硅的保留的亚表面晶格损伤区(120b)。晶格损伤区被处理到衬底中并且保留的晶格损伤区被配置为通过抑制寄生表面传导来实现衬底的RF损耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 集成 无源 器件 具有 降低 损耗 电阻 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种用于射频集成无源器件的具有降低的射频损耗的高电阻率硅衬底(100)，包括：体区(110)，包括高电阻率体硅，以及保留的亚表面晶格损伤区(120b，121，124，126)，其被处理到所述衬底的前侧(122)中，其中所述衬底是硅晶片(100)以及其中所述晶格损伤区包括在所述体区之上的破裂硅，其特征在于所述晶格损伤区形成所述晶片的前表面(122)，其中所述前表面是化学机械平坦化抛光的前表面(122)，其中所述晶格损伤区是减薄的晶格损伤区(121、124、126)，并且其中所述晶格损伤区被配置为抑制寄生表面传导，以便实现所述衬底的射频损耗降低。
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