[发明专利]双模晶体管有效
| 申请号： | 201480065013.5 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105793986B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | X·李;D·D·金;B·杨;J·金;D·W·佩里 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法包括：使第一栅极电压偏置以使得单极电流能够根据场效应晶体管(FET)型操作从晶体管的第一区域流向晶体管的第二区域。该方法还包括使体端子偏置以使得双极电流能够根据双极结型晶体管(BJT)型操作从第一区域流向第二区域。单极电流与双极电流并发地流动以在互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中提供双模数字和模拟器件。 | ||
| 搜索关键词： | 双模 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管偏置方法，包括：使第一栅极电压偏置以使得单极电流能够根据场效应晶体管FET型操作从晶体管的第一区域流向所述晶体管的第二区域；以及使体端子偏置以使得双极电流能够从所述第一区域流向所述第二区域，其中所述双极电流根据双极结型晶体管BJT型操作被体端子电流调谐；其中所述单极电流与所述双极电流并发地流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
