[发明专利]半导体装置

摘要

形成半导体装置1，所述半导体装置包含：SiC外延层28；多个晶体管单元18，形成于SiC外延层28，通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极19，与在接通时形成沟道的晶体管单元18的沟道区域32相对；栅极金属44，为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极19在物理上分离，但是，电连接于栅极电极19；以及内置电阻21，被配置在栅极金属44的下方，由将栅极金属44和栅极电极19电连接的多晶硅构成。

主权项

1.一种半导体装置，其中，包含：SiC半导体层；多个晶体管单元，形成于所述SiC半导体层，通过规定的控制电压接通/关断控制；控制电极，与在接通时形成沟道的所述晶体管单元的沟道区域相对；控制焊盘，为了与外部的电连接而从形成于最外层表面的表面绝缘膜露出，与所述控制电极在物理上分离，但是，电连接于所述控制电极；以及内置电阻，被配置在所述控制焊盘的下方，由将所述控制焊盘和所述控制电极电连接的多晶硅构成，降低所述多个晶体管单元的接通时的噪声，在所述控制焊盘的表面有选择地形成有从所述表面绝缘膜露出而连接焊线的第一线区域，所述内置电阻在从所述SiC半导体层的法线方向观察的平面视中被有选择地配置于回避了所述第一线区域的区域，在所述晶体管单元的上方配置有与所述晶体管单元连接并且与所述控制焊盘不同的电极焊盘，在所述电极焊盘的表面有选择地形成有从所述表面绝缘膜露出而连接焊线的第二线区域。