[发明专利]热转印膜及使用其制备的电致发光装置在审
| 申请号： | 201480065094.9 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105980161A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 赵成昕;姜炅求;金旻惠;朴时均;金成汉;李恩受;李正孝;崔晋喜 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | B41M5/40 | 分类号： | B41M5/40;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本文公开了热转印膜及使用该热转印膜制备的有机电致发光装置，该热转印膜包含基底层及形成于基底层上的光热转化层，此光热转化层包含碳黑及钨氧化物，其中，热转印膜具有4％或更少的以方程式1表示的OD值偏差：[方程式1]OD值偏差＝[(|测量OD值-目标OD值|)/目标OD值]Ⅹ100其中，测量OD值为分别在850的波长及1100nm的波长下测量的OD值。 | ||
| 搜索关键词： | 热转印膜 使用 制备 电致发光 装置 | ||
【主权项】：
一种热转印膜，包含：基底层，和形成于所述基底层上的光热转化层，所述光热转化层包含碳黑及钨氧化物，其中，所述热转印膜具有4％或更少的以方程式1表示的光学密度值偏差：[方程式1]OD值偏差＝[(|测量OD值‑目标OD值|)/目标OD值]×100其中，测量OD值为分别在850nm的波长和1100nm的波长下测量的OD值。
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