[发明专利]集成功率技术中的垂直沟槽型MOSFET器件

摘要

在描述的示例中，具有垂直漏极延伸式MOS晶体管(110)的半导体器件(100)可通过形成深沟槽结构(104)形成，以限定至少一个垂直漂移区域(108)，该垂直漂移区域108在至少两个相反的侧面与深沟槽结构(104)相邻。深沟槽结构(104)包括介电内衬(124)。深沟槽结构(104)被隔开以为漂移区域(108)形成RESURF区域。垂直栅极(114)形成于深沟槽结构(104)的介电内衬(124)中的垂直取向的栅极沟槽中，该深沟槽结构(104)邻接垂直漂移区域(108)。为晶体管体(118)植入掺杂剂的体植入掩模也用作在介电内衬(124)中形成垂直取向的栅极沟槽的刻蚀掩模。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括具有第一导电类型的半导体；以及垂直漏极延伸式金属氧化物半导体晶体管，即垂直漏极延伸式MOS晶体管，其包括：多个深沟槽结构，其配置在所述衬底中，至少一微米深，每个具有邻接所述衬底的介电内衬，所述深沟槽结构具有大体相等的深度；垂直漏极接触区域，其具有与配置在所述衬底中的所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述垂直漏极接触区域邻接所述深沟槽结构并在至少两个相反侧面与所述深沟槽结构的一部分相邻；垂直取向的漂移区域，其具有所述第二导电类型，配置在所述衬底中，邻接所述深沟槽结构并在至少两个相反的侧面与所述深沟槽结构的一部分相邻；栅极介电层上的垂直栅极，其配置在所述多个深沟槽结构的相应的深沟槽结构的所述介电内衬中的垂直取向的栅极沟槽中；以及体区域，其具有所述第一导电类型，配置在所述垂直取向的漂移区域上方，并接触所述栅极介电层，以便所述垂直栅极在所述体区域下方延伸；其中，所述垂直取向的漂移区域与所述衬底形成结，并临近所述多个深沟槽结构的所述相应的深沟槽结构的底部形成电气连接到垂直漏极接触区域，并且其中，所述相应的深沟槽结构定位在所述垂直取向的漂移区域和所述垂直漏极接触区域之间。