[发明专利]具有内部限制的电流注入区域的LED有效
| 申请号： | 201480065438.6 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105814698B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | K·麦格罗迪;胡馨华;A·比布尔;C·K·T·钱;D·A·黑格尔 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于形成LED器件阵列的方法和结构。根据本发明的实施方案的LED器件可以包括内部限制电流注入区域，以减少由于边缘效应导致的非辐射复合。用于限制电流的几种方式可以包括蚀刻移除电流分布层、蚀刻移除电流分布层和有源层，之后进行台面再生长、通过离子植入或扩散进行隔离、量子阱混杂以及氧化物隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内部 限制 电流 注入 区域 led | ||
【主权项】：
1.一种LED器件，包括：顶部电流扩展层；在所述顶部电流扩展层下方的顶部覆层；在所述顶部覆层下方的有源层；在所述有源层下方的底部覆层，所述底部覆层包括底表面；沿所述顶部电流扩展层、所述顶部覆层、所述有源层和所述底部覆层分布的侧壁，其中所述底部覆层的所述底表面在所述侧壁之间延伸；以及单数个底部电流扩展层支柱，在所述底部覆层下方并且与所述底部覆层直接接触，其中所述底部电流扩展层支柱居中位于所述底部覆层处并且从所述底部覆层突起，并且在所述侧壁之间延伸的所述底部覆层的所述底表面比所述底部电流扩展层支柱的最大宽度宽，并且所述底部电流扩展层支柱掺杂有第一掺杂物类型，并且所述顶部电流扩展层掺杂有与所述第一掺杂物类型相反的第二掺杂物类型。
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