[发明专利]沟槽栅极沟槽场板垂直MOSFET

摘要

在所描述的示例中，一种具有垂直漏极延伸MOS晶体管(110)的半导体器件(100)可以通过形成深沟槽结构(104)以定义晶体管(110)的至少一个垂直漂移区(108)而形成，使得每个垂直漂移区(108)在至少两个对侧上被深沟槽结构(104)限制。深沟槽结构(104)被间隔开以形成漂移区(108)的RESURF区域。沟槽栅极(114)被形成在衬底(102)中的沟槽内并位于垂直漂移区(108)上方。本体区(118)位于衬底(102)内并在垂直偏移区(108)上方。

主权项

一种半导体器件，其包括：衬底，其包括具有第一导电类型的半导体；以及垂直漏极延伸金属氧化物半导体晶体管即垂直漏极延伸MOS晶体管，其包括：设置在所述衬底中的至少一微米深的多个深沟槽结构，其具有与所述衬底邻接的介电衬层；垂直定向漂移区，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其被设置在所述衬底中与所述深沟槽结构邻接并在至少两个对侧上被所述深沟槽结构限制；在栅极介电层上的至少一个沟槽栅极，其被设置在所述衬底中的栅极沟槽内并位于所述垂直定向漂移区上方；以及具有所述第一导电类型的本体区，其被设置在垂直定向漂移区上方并与所述栅极介电层接触。