[发明专利]用于双向器件制造的系统和方法有效
| 申请号： | 201480065680.3 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN106062958B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 理查德·A·布兰查德;威廉·C·亚历山大 | 申请（专利权）人： | 理想能量有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 31259 上海脱颖律师事务所 | 代理人： | 脱颖<国际申请>=PCT/US2014/ |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理在没有附接操作晶片的情况下发生，或者在附接有高温操作晶片的情况下发生。一旦中温操作晶片被附接，则不会发生高温处理步骤。高温可以被认为是存在铝基金属时可能对所述器件造成损坏的那些温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 双向 器件 制造 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n将第一导电型掺杂剂引入到半导体块的第一面上的第一区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第一面上的第二区中；/n将高温操作晶片附接到所述第一面；/n将第一导电型掺杂剂引入到所述半导体块的平行于所述第一面的第二面上的第三区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第二面上的第四区中；/n在超过600℃的温度下执行高温扩散步骤，凭借所述扩散步骤使所述第一导电型掺杂剂和所述第二导电型掺杂剂从所述第一面和所述第二面两者在所述半导体块中扩散到期望的深度；/n在低于450℃的温度下，在所述第二面上执行中温制造步骤；/n将中温操作晶片附接到所述第二面，所述中温操作晶片具有与所述高温操作晶片不同的构成；/n移除所述高温操作晶片；以及/n在低于450℃的温度下，在所述第一面上执行中温制造步骤。/n
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