[发明专利]测辐射热仪有效
| 申请号： | 201480065927.1 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106165136B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 大卫·贡纳松;伊万·帕克;马丁·普雷斯特;米卡·普伦尼拉;特伦斯·霍尔 | 申请（专利权）人： | 华威大学 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;G01J5/20 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 梁洪源;康泉 |
| 地址： | 英国沃*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 描述了一种测辐射热仪。测辐射热仪包括超导体‑绝缘体‑半导体‑超导体结构(91；图2)或超导体‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑超导体结构(92)。半导体包括硅层、锗层或硅锗合金层(11)中的电子气(10)，在硅层、锗层或硅锗合金层(11)中，谷简并度至少部分地被提升。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括介电材料层(131、132)。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括非简并掺杂半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射热 | ||
【主权项】：
1.一种测辐射热仪，包括：超导体‑绝缘体‑半导体‑超导体结构或超导体‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑超导体结构，其中所述半导体包括硅层、锗层或硅锗合金层中的电子气，在所述硅层、锗层或硅锗合金层中，谷简并度至少部分地被提升。
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