[发明专利]装置、系统及用于制造穿衬底通孔及前侧结构的方法

摘要

本发明涉及制造半导体装置的方法以及具有穿衬底通孔TSV的半导体装置。制造半导体装置的方法的一个实施例包含：形成穿过电介质结构及半导体衬底的至少一部分的开口；及形成电介质衬里材料，所述电介质衬里材料具有向所述开口加衬的第一部分及在所述电介质结构的在所述开口的横向外侧的外表面上的第二部分。所述方法进一步包含：移除导电材料使得所述电介质衬里材料的所述第二部分被暴露；及在所述电介质衬里材料的所述第二部分中形成电耦合到所述TSV的镶嵌导电线。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其包括：形成穿过电介质结构且穿过所述电介质结构下方的半导体衬底的至少一部分的开口，其中所述开口经配置以接纳用于穿衬底通孔TSV的材料；形成电介质衬里材料，使得所述电介质衬里材料具有向所述开口加衬的第一部分及在所述电介质结构的在所述开口的横向外侧的外表面上的第二部分；沉积第一导电材料，使得所述第一导电材料的第一部分是在所述开口中且所述第一导电材料的第二部分是在所述电介质衬里材料的所述第二部分的在所述开口的横向外侧的经暴露表面上；移除所述第一导电材料的所述第二部分，使得所述电介质衬里材料的所述第二部分被暴露，其中所述电介质衬里材料的所述第二部分的至少一部分剩余在所述电介质结构上且所述第一导电材料的所述第一部分的显著部分剩余在所述开口中，使得所述第一导电材料的所述第一部分的所述剩余部分界定TSV；以及在所述电介质衬里材料中形成电耦合到所述TSV的镶嵌导电线，其中所述镶嵌导电线位于所述TSV的正上方并且与所述TSV对准，且其中所述镶嵌导电线完全平坦化至所述电介质衬里材料的所述第二部分的水平面。