[发明专利]像素驱动电路有效
申请号: | 201480066249.0 | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN105960711B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 亚历山德拉·兰科夫;夏洛特·哈里森;伊恩·霍尼;肖恩·诺瓦尔;杰瑞米·希尔斯;布拉格·亚格里奥古 | 申请(专利权)人: | 弗莱克英纳宝有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12;H01L27/28;H01L51/05 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 描述了只具有三个导电层的像素驱动电路。像素驱动电路包括跨及三个导电层的垂直驱动晶体管(26),其中导电层中位于中间导电层(32)第一侧上的第一导电层(22)提供驱动晶体管的第一源漏连接(52),导电层中位于中间导电层与第一导电层相对的一侧上的第三导电层(34)提供垂直驱动晶体管的栅极连接(54),中间导电层提供垂直驱动晶体管的第二源漏连接(50)。该电路还包括源漏连接(44、46)位于三个导电层之一中的的横向开关晶体管(30)。在第一和第二导电层之间以及在第二和第三导电层之间设置电介质层(16、20),跨及垂直驱动晶体管的第一和第二源漏连接设置半导体材料(18)。像素显示元件(12)耦合到垂直驱动晶体管的第一源漏连接。 | ||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 | ||
【主权项】:
1.一种只使用三个导电层制作像素驱动电路的方法,该方法包括:形成跨及所述三个导电层的垂直驱动晶体管,其中所述三个导电层中位于中间的第二导电层的第一侧上的第一导电层提供所述垂直驱动晶体管的第一源漏连接,其中所述三个导电层中位于所述中间的第二导电层的与所述第一导电层相对的一侧上的第三导电层提供针对所述垂直驱动晶体管的栅极连接,以及其中所述中间的第二导电层提供针对所述垂直驱动晶体管的第二源漏连接;形成具有位于所述三个导电层之一中的源漏连接的横向开关晶体管;在所述中间的第二导电层与所述第三导电层之间形成栅极存储电容器,以存储所述垂直驱动晶体管的驱动电平;其中,在所述第一导电层和所述中间的第二导电层之间以及在所述中间的第二导电层和所述第三导电层之间设置电介质层,以及其中跨及所述垂直驱动晶体管的所述第一源漏连接和所述第二源漏连接设置半导体材料。
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