[发明专利]半导体元件、半导体元件的制造方法及电子装置有效
| 申请号： | 201480066578.5 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105814670B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木直人 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/12;H01L23/522;H01L27/14;H04N5/374;H04N101/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及：能够抑制泄漏和裂纹产生的半导体元件；用于制造半导体元件的方法；以及电子装置。在本发明中，在金属布线的下方使用具有位于金属的CTE与Si的CTE之间的CTE值的绝缘膜，且在TSV侧壁部分，存在着使用具有良好覆盖率的P‑SiO(1μm)作为通孔内部绝缘膜的叠层结构。关于CTE位于金属的CTE与Si的CTE之间的绝缘膜，在通孔内部绝缘膜和与所述通孔内部绝缘膜连续的场域顶部绝缘膜中分别使用例如0.1μm和2μm厚度的SiOC。本发明能够应用于例如成像装置中使用的固态成像元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其包括：TSV，所述TSV形成在基板中；侧壁膜，所述侧壁膜形成在所述TSV的侧壁部并具有良好的覆盖率；以及绝缘膜，所述绝缘膜形成在除了所述TSV的通孔部之外的位于金属布线下方的层中，其中，所述绝缘膜与所述基板的不包括所述TSV的所述侧壁部的表面直接接触，并且所述绝缘膜是热膨胀系数具有位于所述基板的热膨胀系数与所述金属布线的热膨胀系数之间的值的膜类型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480066578.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
