[发明专利]太阳能电池和其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480066817.7 申请日: 2014-10-10
公开(公告)号: CN105981181B 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: 朴在勤;沈泰宪;金达澔;金志宪;申在祐;朴柱炯 申请(专利权)人: 汉阳大学校产学协力团
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 杨贝贝,臧建明
地址: 韩国首尔市城东区往十*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种太阳能电池和其制造方法,所述太阳能电池包括第一电极,其形成于衬底上;纳米晶体层,其与所述第一电极接触且形成于所述第一电极上,所述纳米晶体层包括多个纳米晶体;空穴传输层,其形成于所述第一电极上以便覆盖所述多个纳米晶体;光活性层,其形成于所述空穴传输层上;以及第二电极,其形成于所述光活性层上。本发明技术方案能够使多个纳米晶体通过表面等离子作用被放大,光在穿过纳米晶体的同时被散射,一定量的光被放大。因此,由于供应到光活性层的光的量增加,在光活性层处的光吸收可增加,故可改进光电转换效率。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:第一电极,其形成于衬底上;纳米晶体层,其包括多个纳米晶体,形成于所述第一电极上以便接触所述第一电极;空穴传输层,其形成于所述第一电极上以便覆盖所述纳米晶体;光活性层,其形成于所述空穴传输层上;以及第二电极,其形成于所述光活性层上,其中所述纳米晶体层以5nm到8nm的厚度形成,所述纳米晶体各自具有长轴长度比短轴长度长的椭圆体,且彼此邻近的所述纳米晶体之间的平均间隔距离为25nm到75nm。
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