[发明专利]太阳能电池和其制造方法有效
申请号: | 201480066817.7 | 申请日: | 2014-10-10 |
公开(公告)号: | CN105981181B | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 朴在勤;沈泰宪;金达澔;金志宪;申在祐;朴柱炯 | 申请(专利权)人: | 汉阳大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨贝贝,臧建明 |
地址: | 韩国首尔市城东区往十*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池和其制造方法,所述太阳能电池包括第一电极,其形成于衬底上;纳米晶体层,其与所述第一电极接触且形成于所述第一电极上,所述纳米晶体层包括多个纳米晶体;空穴传输层,其形成于所述第一电极上以便覆盖所述多个纳米晶体;光活性层,其形成于所述空穴传输层上;以及第二电极,其形成于所述光活性层上。本发明技术方案能够使多个纳米晶体通过表面等离子作用被放大,光在穿过纳米晶体的同时被散射,一定量的光被放大。因此,由于供应到光活性层的光的量增加,在光活性层处的光吸收可增加,故可改进光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:第一电极,其形成于衬底上;纳米晶体层,其包括多个纳米晶体,形成于所述第一电极上以便接触所述第一电极;空穴传输层,其形成于所述第一电极上以便覆盖所述纳米晶体;光活性层,其形成于所述空穴传输层上;以及第二电极,其形成于所述光活性层上,其中所述纳米晶体层以5nm到8nm的厚度形成,所述纳米晶体各自具有长轴长度比短轴长度长的椭圆体,且彼此邻近的所述纳米晶体之间的平均间隔距离为25nm到75nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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