[发明专利]硅晶片有效
| 申请号： | 201480066934.3 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105814245B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 仙田刚士;泉妻宏治 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/02;C23C16/34;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及硅晶片。根据本发明，在使氮化物半导体层在硅晶片上外延生长时，抑制晶片破裂或者位错伸展而产生较大弯曲。将端面(5)与第一倾斜面(6)的交点和表面(3)与第一倾斜面(6)的交点之间的沿着表面(3)的方向的第一投影长度设为a1μm，将端面(5)与第二倾斜面(7)的交点和背面(4)与第二倾斜面(7)的交点之间的沿着背面(4)的方向的第二投影长度设为a2μm，将第一倾斜面(6)相对于表面(3)的第一倾斜角设为θ1，将第二倾斜面(7)相对于背面(4)的第二倾斜角设为θ2，将表面(3)与背面(4)的面间隔设为Tμm，并且由各参数值算出由式a1·tanθ1－a2·tanθ2定义的斜面的形状值，并以使该形状值在规定范围内的方式规定斜面的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片，为用于使氮化物半导体层外延生长的(111)取向的圆板状的硅晶片，其特征在于，具备：表面(3)，形成所述氮化物半导体层(2)；背面(4)，与所述表面(3)平行；端面(5)，具有与所述表面(3)的面法线垂直的面法线，并构成晶片外周部；第一倾斜面(6)，与所述表面(3)及所述端面(5)连接，并与所述表面(3)成倾斜；以及第二倾斜面(7)，与所述背面(4)及所述端面(5)连接，并与所述背面(4)成倾斜，在将所述端面(5)与所述第一倾斜面(6)的交点和所述表面(3)与所述第一倾斜面(6)的交点之间的沿着所述表面(3)的方向的第一投影长度设为a1μm，将所述端面(5)与所述第二倾斜面(7)的交点和所述背面(4)与所述第二倾斜面(7)的交点之间的沿着所述背面(4)的方向的第二投影长度设为a2μm，将所述第一倾斜面(6)相对于所述表面(3)的第一倾斜角设为θ1，将所述第二倾斜面(7)相对于所述背面(4)的第二倾斜角设为θ2，将所述表面(3)与所述背面(4)的面间隔设为Tμm时，在外延生长的前后满足下述式：－0.048T≤a1·tanθ1－a2·tanθ2＜0，或者，0＜a1·tanθ1－a2·tanθ2≤0.048T。
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