[发明专利]低辐射涂敷膜、其的制备方法及包含其的窗户用功能性建材有效
| 申请号： | 201480066966.3 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105814149B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 柳贤祐;田允淇;权大勋 | 申请（专利权）人： | 乐金华奥斯有限公司 |
| 主分类号： | C09D7/61 | 分类号： | C09D7/61;B05D1/36;C09D5/00;E06B3/00 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 吕琳;刘明海<国际申请>=PCT/KR2 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及低辐射涂敷膜，上述低辐射涂敷膜包括：基材；低辐射涂敷层；以及顶部涂敷层，上述顶部涂敷层为从上述低辐射涂敷层起依次包括金属层、金属氧化物层及硅类复合金属氮氧化物层的多层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 涂敷膜 制备 方法 包含 窗户 用功 建材 | ||
【主权项】：
1.一种低辐射涂敷膜，其特征在于，/n由以下组成：/n基材；/n在所述基材表面上的低辐射涂敷层；以及/n在所述低辐射涂敷层上的顶部涂敷层，/n其中：/n所述顶部涂敷层从所述低辐射涂敷层起由金属层、金属氧化物层及硅类复合金属氮氧化物层组成；/n所述低辐射涂敷层从所述基材起按顺序由第一电介质层、第一低辐射保护层、低辐射层、第二低辐射保护层及第二电介质层组成；/n所述第一电介质层或所述第二电介质层包含选自由氮化硅、氮化硅铝、氮化硅锡及它们的组合组成的组中的至少一种；/n所述基材的厚度为2mm至12mm；/n所述第一电介质层的厚度为5nm至35nm；/n所述第一低辐射保护层的厚度为0.5nm至1nm；/n所述低辐射层的厚度为5nm至7nm；/n所述第二低辐射保护层的厚度为0.5nm至1nm；/n所述第二电介质层的厚度为5nm至35nm；和/n所述硅类复合金属氮氧化物层的厚度为2nm至20nm。/n
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