[发明专利]取代的嘧啶氧基苯化合物除草剂

摘要

本发明公开了式1的化合物，包括其所有立体异构体、其N‑氧化物及其盐，其中各个Y¹、Y²、Y³、Y⁴、Z、R²、m和R³如在本公开中所定义。本发明还公开了包含式1化合物的组合物和用于控制不期望的植被的方法，所述方法包括使所述不期望的植被或其环境与有效量的本发明的化合物或组合物接触。

主权项

1.一种化合物，所述化合物选自式1的化合物及其盐其中每个Y¹、Y²、Y³和Y⁴独立地为N或CR¹，前提条件是Y¹、Y²、Y³和Y⁴中不超过3个为N；Z为O或S；每个R¹独立地为氢、卤素、氰基、硝基、CHO、C(＝O)NH₂、C(＝S)NH₂、SO₂NH₂、C₁‑C₄烷基、C₂‑C₄烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄卤代烷基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₄‑C₈烷基环烷基、C₄‑C₈环烷基烷基、C₂‑C₆烷基羰基、C₂‑C₆卤代烷基羰基、C₂‑C₆烷氧基羰基、C₃‑C₇环烷基羰基、C₂‑C₈烷基氨基羰基、C₃‑C₁₀二烷基氨基羰基、C₁‑C₄烷氧基、C₁‑C₄卤代烷氧基、C₃‑C₆环烷氧基、C₃‑C₆卤代环烷氧基、C₄‑C₈环烷基烷氧基、C₂‑C₆烷氧基烷基、C₂‑C₆卤代烷氧基烷基、C₂‑C₆烷氧基卤代烷基、C₂‑C₆烷氧烷氧基、C₂‑C₄烷基羰氧基、C₂‑C₆氰基烷基、C₂‑C₆氰基烷氧基、C₂‑C₄烷硫基烷基、SO_nR^1A或Si(CH₃)₃；或者任选地被至多5个独立地选自R^1C的取代基取代的苯环；或者5‑或6‑元杂芳环，其包含选自碳原子和至多4个独立地选自至多2个O原子、至多2个S原子和至多4个N原子的杂原子的环成员，各个环任选地被至多3个独立地选自碳原子环成员上的R^1C和氮原子环成员上的R^1D的取代基取代；R²为卤素、氰基、硝基、C₁‑C₄烷氧基、C₁‑C₄烷基、C₂‑C₆烯基、C₂‑C₆炔基、C₁‑C₄卤代烷基或C₃‑C₆环烷基；m为0、1、2或3；每个R³独立地为卤素、氰基、羟基、硝基、氨基、CHO、C(＝O)NH₂、C(＝S)NH₂、SO₂NH₂、C₁‑C₄烷基、C₂‑C₄烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄卤代烷基、C₂‑C₄卤代烯基、C₂‑C₄卤代炔基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₄‑C₈烷基环烷基、C₄‑C₈环烷基烷基、C₂‑C₆烷基羰基、C₂‑C₆卤代烷基羰基、C₂‑C₆烷氧基羰基、C₃‑C₇环烷基羰基、C₁‑C₄烷氧基、C₃‑C₄烯氧基、C₃‑C₄炔氧基、C₁‑C₄卤代烷氧基、C₃‑C₄卤代烯氧基、C₃‑C₄卤代炔氧基、C₃‑C₆环烷氧基、C₃‑C₆卤代环烷氧基、C₄‑C₈环烷基烷氧基、C₂‑C₆烷氧基烷基、C₂‑C₆卤代烷氧基烷基、C₂‑C₆烷氧基卤代烷基、C₂‑C₆烷氧烷氧基、C₂‑C₄烷基羰氧基、C₂‑C₆氰基烷基、C₂‑C₆氰基烷氧基、C₂‑C₄烷硫基烷基、Si(CH₃)₃、C≡CSi(CH₃)₃、C(＝O)N(R^3A)(R^3B)、C(＝NOR^3C)H、C(＝NR^3D)H、SO_nR^3E；或者任选地被至多5个独立地选自R^3F的取代基取代的苯环；或者5‑或6‑元杂芳环，其包含选自碳原子和至多4个独立地选自至多2个O原子、至多2个S原子和至多4个N原子的杂原子的环成员，各个环任选地被至多3个独立地选自碳原子环成员上的R^3F和氮原子环成员上的R^3G的取代基取代；或者嘧啶氧基；每个n独立地为0、1或2；每个R^1A和R^3E独立地为C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷基氨基或C₂‑C₆二烷基氨基；每个R^1C独立地为卤素、C₁‑C₆烷基、C₁‑C₆卤代烷基、C₁‑C₆烷氧基或C₁‑C₆卤代烷氧基；每个R^1D独立地为C₁‑C₆烷基、C₁‑C₆卤代烷基、C₁‑C₆烷氧基或C₂‑C₆烷基羰基；每个R^3A独立地为C₁‑C₄烷基或C₁‑C₄卤代烷基；每个R^3B独立地为H、C₁‑C₄烷基或C₁‑C₄卤代烷基；每个R^3C独立地为H或C₁‑C₄烷基；每个R^3D独立地为H、氨基、C₁‑C₄烷基或C₁‑C₄烷基氨基；每个R^3F独立地为羟基、卤素、氰基、硝基、C₁‑C₆烷基、C₁‑C₆卤代烷基、C₁‑C₆烷氧基或C₁‑C₆卤代烷氧基；并且每个R^3G独立地为氰基、C₁‑C₆烷基、C₁‑C₆卤代烷基、C₁‑C₆烷氧基或C₂‑C₆烷基羰基；前提条件是当i)Y¹为N；Y²为CH；Y³为CBr；Y⁴为CH；并且R²为Cl时，则R³不为5‑CF₃、5‑CN或5‑NO₂；ii)Y¹为N；Y²为CH；Y³为CBr；Y⁴为CH；并且R²为Br时，则R³不为5‑CF₃；并且iii)Y¹为N；Y²为CCH₃；Y³为CCl；Y⁴为CCl；并且R²为Cl时，则m不为0。