[发明专利]半导体基板的制造方法、半导体基板、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件在审
申请号: | 201480067286.3 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN105814665A | 公开(公告)日: | 2016-07-27 |
发明(设计)人: | 织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;芦泽寅之助;町井洋一;岩室光则;佐藤英一;清水麻理;佐藤铁也 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/225;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 通过第一扩散工序和第二扩散工序而在一个半导体基板的不同部位形成n型扩散层和p型扩散层。在第一扩散工序具有将含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质的p型扩散层形成组合物赋予到半导体基板的工序、和通过热处理使受主元素扩散到半导体基板中而形成p型扩散层的工序的情况下,第二扩散工序具有以p型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使磷扩散的工序。可以将第一扩散工序的p型扩散层形成组合物用含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质的n型扩散层形成组合物来代替,此时,在第二扩散工序中,以n型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使硼扩散。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 方法 太阳能电池 元件 | ||
【主权项】:
一种具有扩散层的半导体基板的制造方法,其包括:对半导体基板上的至少一部分赋予p型扩散层形成组合物的工序,所述p型扩散层形成组合物含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质;通过热处理使所述受主元素扩散到所述半导体基板中而形成p型扩散层的工序;和以所述p型扩散层形成组合物的热处理物的至少一部分作为掩模,使磷扩散到所述半导体基板中而形成n型扩散层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造