[发明专利]半导体装置、以及使用该半导体装置的交流发电机和电力变换装置

摘要

本发明的半导体装置(S1)具有安装于交流发电机(Ot)的俯视观察具有圆形的外周部(101s)的第一外部电极(101)，在第一外部电极(101)上搭载有：MOSFET芯片(103)；控制电路(104)，其输入MOSFET芯片(103)的第一主端子(103d)和第二主端子(103s)的电压或电流，根据该电压或电流来生成向MOSFET芯片(103)的栅极(103g)供给的控制信号；以及电容器(105)，其向控制电路(104)供给电源，半导体装置(S1)相对于MOSFET芯片(103)在上述第一外部电极的相反侧具有第二外部电极(107)，且MOSFET芯片(103)的第一主端子(103d)与第一外部电极(101)、以及MOSFET芯片(103)的第二主端子(103s)与第二外部电极(107)电连接。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，上述半导体装置具备：第一外部电极，其安装于交流发电机中，该第一外部电极具有俯视观察为圆形的外周部；MOSFET芯片；第二外部电极，其相对于上述MOSFET芯片配置于上述第一外部电极的相反侧；以及控制电路，其输入上述MOSFET芯片的漏电极和源电极的电压或电流，并根据该电压或电流来生成向上述MOSFET芯片的栅极供给的控制信号，电容器，其向上述控制电路供给电源，以彼此堆叠的方式配置上述第一外部电极、上述MOSFET芯片的上述漏电极、上述MOSFET芯片的上述源电极、以及上述第二外部电极，上述MOSFET芯片的上述漏电极和上述源电极中的一个与上述第一外部电极电连接，上述MOSFET芯片的上述漏电极和上述源电极中的另一个与上述第二外部电极电连接，上述MOSFET芯片、上述控制电路搭载于上述第一外部电极上，以从下向上依次堆叠的方式配置上述第一外部电极、上述MOSFET芯片的上述漏电极、上述MOSFET芯片的上述源电极、以及上述第二外部电极，上述MOSFET芯片的上述漏电极与上述第一外部电极电连接，上述MOSFET芯片的上述源电极与上述第二外部电极电连接，上述电容器经由绝缘基板搭载在上述第一外部电极上，上述绝缘基板具有比作为基电极的上述第一外部电极低的导热率，并且在上述电容器的高电压侧端子和低电压侧端子两者下方配置有一个上述绝缘基板。