[发明专利]用于晶体管装置的源极/漏极导体在审
| 申请号： | 201480067538.2 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105917482A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | J·忠曼;B·阿斯普林 | 申请（专利权）人： | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种晶体管装置，所述晶体管装置包括：由半导体沟道连接的源极导体和漏极导体，所述半导体沟道由形成在所述源极导体和漏极导体之上的半导体材料层来提供；以及经由栅极电介质电容性耦合到所述半导体沟道的栅极导体；其中所述源极导体和漏极导体中的至少一个包括在其至少一个区域中的多层结构，所述多层结构包括下层和上层，所述下层的材料在将电荷注入到所述半导体材料中方面优于所述上层的材料；并且所述上层的材料展现出比所述下层的材料更好的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体管 装置 导体 | ||
【主权项】：
一种晶体管装置，所述晶体管装置包括：由半导体沟道连接的源极导体和漏极导体，所述半导体沟道由形成在所述源极导体和漏极导体之上的半导体材料层来提供；以及经由栅极电介质电容性耦合到所述半导体沟道的棚极导体；其中所述源极导体和漏极导体中的至少一个包括在其至少一个区域中的多层结构，所述多层结构包括下层和上层，所述下层的材料在将电荷注入到所述半导体材料中方面优于所述上层的材料；并且所述上层的材料展现出比所述下层的材料更好的导电性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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