[发明专利]可旋转加热静电夹盘有效
| 申请号： | 201480067593.1 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105874585B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 阿纳塔·K·苏比玛尼;阿希什·戈埃尔;伟·W·王;比哈瑞斯·斯里尼瓦桑;维贾伊·D·帕克赫;袁晓雄 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种静电夹盘包括：介电盘，具有支撑基板的支撑表面以及相对的第二表面，其中至少一个夹持电极设置于所述介电盘内；射频(RF)偏压板，设置在所述介电盘下方；多个灯，设置在所述射频偏压板下方以加热所述介电盘；金属板，设置在这些灯下方以吸收由这些灯产生的热；轴杆，在所述轴杆的第一端耦接至所述介电盘的所述第二表面以支撑所述介电盘而使所述介电盘与所述射频偏压板呈间隔开的关系，且所述轴杆延伸离开所述介电盘且延伸穿过所述射频偏压板和所述金属板；以及旋转组件，耦接至所述轴杆以使所述轴杆和所述介电盘相对于所述射频偏压板、灯、以及金属板旋转。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转 加热 静电 | ||
【主权项】：
1.一种静电夹盘，包括：介电盘，所述介电盘具有支撑基板的支撑表面以及相对的第二表面，其中至少一个夹持电极设置于所述介电盘内；射频(RF)偏压板，所述射频偏压板设置在所述介电盘下方；多个灯，所述多个灯设置在所述射频偏压板下方以加热所述介电盘；金属板，所述金属板设置在所述多个灯下方以吸收由所述多个灯产生的热；轴杆，所述轴杆在所述轴杆的第一端耦接至所述介电盘的所述第二表面以支撑所述介电盘而使所述介电盘与所述射频偏压板呈间隔开的关系，且所述轴杆延伸离开所述介电盘且延伸穿过所述射频偏压板和所述金属板；以及旋转组件，所述旋转组件耦接至所述轴杆以使所述轴杆和所述介电盘相对于所述射频偏压板、所述多个灯、以及所述金属板旋转。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
