[发明专利]整流装置、交流发电机以及电力转换装置有效
| 申请号： | 201480067727.X | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN105814786B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 石丸哲也;恩田航平;坂野顺一;森睦宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H02M7/21 | 分类号： | H02M7/21;H02M1/08;H02M7/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;范胜杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供防止振荡且防止由噪声施加时的误动作而导致贯通电流流过的自主型同步整流MOSFET的整流装置。整流装置(132)具备：进行同步整流的整流MOSFET(101)；判定电路(103)，其输入整流MOSFET(101)的一对正极主端子TH与负极主端子TL间的电压，并根据输入的电压判定整流MOSFET(101)的导通/截止；以及栅极驱动电路(105)，其根据判定电路(103)的比较信号Vcomp进行整流MOSFET(101)的栅极的导通/截止，且构成为导通整流MOSFET(101)时栅极电压Vgs的升压所需的时间比截止整流MOSFET(101)时栅极电压Vgs的降压所需的时间长。 | ||
| 搜索关键词： | 整流装置 导通 判定电路 同步整流 栅极电压 主端子 截止 正极 电力转换装置 栅极驱动电路 交流发电机 负极 升压 比较信号 电压判定 贯通电流 时间比 误动作 自主型 降压 振荡 噪声 施加 | ||
【主权项】：
1.一种整流装置，其特征在于，具备：进行同步整流的整流MOSFET；判定电路，其输入上述整流MOSFET的一对主端子间的电压，并根据所输入的上述一对主端子间的电压来判定上述整流MOSFET的导通/截止；以及栅极驱动电路，其根据上述判定电路的判定结果进行上述整流MOSFET的栅极的导通/截止，该栅极驱动电路构成为导通上述整流MOSFET时栅极电压的升压所需的时间比截止上述整流MOSFET时栅极电压的降压所需的时间长；其中，上述栅极驱动电路具备第1CMOS缓冲器，该第1CMOS缓冲器具有高侧MOSFET以及低侧MOSFET，且该第1CMOS缓冲器的输出与上述整流MOSFET的栅极连接，上述栅极驱动电路中，导通上述整流MOSFET时流过上述第1CMOS缓冲器的高侧MOSFET的电流比截止上述整流MOSFET时流过上述第1CMOS缓冲器的低侧MOSFET的电流小；其中，上述栅极驱动电路还具备第2CMOS缓冲器，该第2CMOS缓冲器的输出与上述第1CMOS缓冲器的输入连接，上述栅极驱动电路中，导通上述整流MOSFET时流过上述第2CMOS缓冲器的低侧MOSFET的电流比截止上述整流MOSFET时流过上述第2CMOS缓冲器的高侧MOSFET的电流小。
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