[发明专利]基于非易失性存储器的性能来优化通过电压和初始编程电压有效
| 申请号： | 201480068259.8 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105830165B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 大和田宪;村井昭太 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/04;G11C11/56 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王珊珊<国际申请>=PCT/US2014 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了基于存储器单元组的编程速度自适应地设定通过电压和初始编程电压的编程技术。在多道次编程操作的一个道次中，获得指示编程速度的编程电压。例如，这可以是最终编程电压或在另一编程里程碑处的编程电压。通过提供对参考通过电压的调整来针对多道次编程操作的另一编程道次确定通过电压。基于相对于指示编程速度的编程电压的偏移来针对另一编程道次确定初始编程电压。还调整初始编程电压以抵消对参考通过电压的调整的效应。对初始编程电压的调整在极性上与对参考通过电压的调整相反，并且在量值上小于对参考通过电压的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 非易失性存储器 性能 优化 通过 电压 初始 编程 | ||
【主权项】：
1.一种用于对连接至存储器装置中的选中字线的存储器单元组进行编程的方法，包括：/n针对存储器单元组(205)执行多道次编程操作的一个编程道次，其中，在所述一个编程道次期间将第一组阶跃式增大的编程电压(1300)施加于选中字线(WL2)；/n确定所述第一组阶跃式增大的编程电压中的指示编程速度的编程电压(Vrep)，所述指示编程速度的编程电压(Vrep)指示在所述一个编程道次期间所述存储器单元组的编程速度；/n基于对参考通过电压的调整来确定待被用于所述多道次编程操作的另一编程道次的经调整的通过电压(VpassH)，所述对参考通过电压的调整基于所述指示编程速度的编程电压；/n基于所述指示编程速度的编程电压来确定用于所述另一编程道次的第二组阶跃式增大的编程电压(1400，1500)的第一初始值；/n基于所述对参考通过电压的调整来确定对所述第一初始值的调整以提供第二初始值(Vpgm_init2，Vpgm_init3)，所述对所述第一初始值的调整具有与所述对参考通过电压的调整相反的极性；以及/n针对所述存储器单元组执行所述另一编程道次，其中，在所述另一编程道次期间将所述第二组阶跃式增大的编程电压施加于所述选中字线，所述第二组阶跃式增大的编程电压具有所述第二初始值，并且在所述第二组阶跃式增大的编程电压中的一个或更多个编程电压(1401-1413；1501-1515)期间将所述经调整的通过电压施加于至少一个未选中字线(WL1，WL3)。/n
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