[发明专利]再循环衬底容器清除系统和方法有效
| 申请号： | 201480068361.8 | 申请日： | 2014-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN105849887B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 卢茨·瑞布斯道克 | 申请（专利权）人： | 布鲁克斯CCS股份有限公司;卢茨·瑞布斯道克 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 德国拉尔*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 降低用于半导体衬底容器的清除气体的消耗的方法和系统。再循环清除系统通过过滤和净化来自衬底容器的气体流，从装载端口接收气体流或包括再循环罐而使清除气体再循环回到衬底容器。 | ||
| 搜索关键词： | 再循环 衬底 容器 清除 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.再循环清除系统，包括：/n可密封的装载端口；/n可密封的装载端口支撑件；/n衬底容器；其中所述可密封的装载端口支撑件包括喷嘴；/n再循环路径，所述再循环路径包括再循环罐以清除所述衬底容器从而清除气体能够从所述衬底容器流到所述再循环罐，所述再循环罐中的所述清除气体能够被再循环，且所述清除气体能够从所述再循环罐流回所述衬底容器，其中所述再循环罐和净化器组件连接从而所述再循环罐中的清除气体能够通过借助净化器再循环所述再循环罐中的所述清除气体而连续地和重复地被净化；以及/n包括新鲜的清除气体供应部的更新路径和切换机构，其中所述切换机构配置为允许来自所述新鲜的清除气体供应部的新鲜的清除气体被添加到或取代所述再循环罐中的再循环清除气体；其中所述切换机构由传感器控制。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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