[发明专利]太阳能电池的金属化在审
申请号: | 201480068756.8 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN105830226A | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 理查德·汉密尔顿·休厄尔;戴维·阿龙·伦道夫·巴尔克豪泽;邬俊波;迈克尔·卡德兹诺维克;保罗·卢斯科托福;约瑟夫·本克;米歇尔·阿尔塞纳·奥利维尔·恩加姆·托科 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司;道达尔销售服务公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。在例子中,制造太阳能电池的方法涉及在设置于衬底中或衬底上方的半导体区域上形成阻挡层。所述半导体区域包括单晶硅或多晶硅。所述方法还涉及在所述阻挡层上形成导电糊剂层。所述方法还涉及由所述导电糊剂层形成导电层。所述方法还涉及形成所述太阳能电池的所述半导体区域的接触结构,所述接触结构至少包括所述导电层。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 金属化 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:在设置于衬底中或衬底上方的半导体区域上形成阻挡层,所述半导体区域包含单晶硅或多晶硅;在所述阻挡层上形成导电糊剂层;由所述导电糊剂层形成导电层;以及形成所述太阳能电池的所述半导体区域的接触结构,所述接触结构至少包括所述导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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