[发明专利]半导体装置用接合线有效
| 申请号： | 201480068797.7 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105830205B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 宇野智裕;萩原快朗;小山田哲哉;小田大造 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金高新材料株式会社;日铁住金新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C5/06;C22C5/08;C22C9/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够减少异常环路的发生的接合线。所述接合线的特征在于，具备：芯材，其含有超过50mol％的金属M；中间层，其形成于所述芯材的表面，包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质，所述Ni的浓度为15～80mol％；以及，被覆层，其形成于所述中间层上，包含Ni、Pd和不可避免的杂质，所述Pd的浓度为50～100mol％，所述金属M为Cu或Ag，所述被覆层的Ni浓度低于所述中间层的Ni浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置用接合线，其特征在于，具备：芯材，其含有超过50mol％的金属M；中间层，其形成于所述芯材的表面，包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质，所述Ni的浓度为15～80mol％；被覆层，其形成于所述中间层上，包含Ni、Pd、Au和不可避免的杂质，所述Pd的浓度为50～100mol％；和表面层，其形成于所述被覆层上，由包含Au和Pd的合金构成，所述Au的浓度为10～70mol％，Au和Pd的合计浓度为80mol％以上，所述金属M为Cu或Ag，所述被覆层的Ni浓度低于所述中间层的Ni浓度，所述被覆层的Au浓度低于所述表面层的Au浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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