[发明专利]双波长退火方法及设备有效
| 申请号： | 201480068815.1 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105830202B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 阿伦·缪尔·亨特;约瑟夫·R·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述用于热处理半导体基板的方法与设备。固态辐射发射器用以提供热处理能量场。第二固态辐射发射器用以提供活化能量场。将热处理能量及活化能量导向基板的处理区域，在所述处理区域活化能量增加基板中热处理辐射的吸收，造成由活化能量所照射的区域中基板的热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 退火 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板的方法，包括以下步骤：通过如下步骤照射基板表面的处理区域：使用第一能量源于介于200nm与850nm之间的波长及介于10mW/cm2与10W/cm2之间的功率密度下，将第一能量照射量传递至所述处理区域；及使用第二能量源于介于800nm与1100nm之间的波长及介于50kW/cm2与200kW/cm2之间的功率水平下，同时将第二能量照射量传递至所述处理区域，其中：所述第一能量源和所述第二能量源中的至少一个是连续波发射器，所述第一能量照射量及所述第二能量照射量以介于5cm/秒与100cm/秒之间的速率扫描横跨所述基板，和所述第一能量照射量的位置在扫描期间相关于所述第二能量照射量的位置而变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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