[发明专利]垂直半导体装置

摘要

本发明所要解决的问题是提高半导体装置2的外围区6的耐压。在半导体基板的表面上的位置处在外围区6中形成有resurf层32和保护环30。保护环30比resurf层32形成得更深，当保护环30较浅且resurf层32的杂质浓度低时，resurf层32的深部的电位分布变得不稳定,因此resurf层32不能充分地显现出提高耐压的效果。当保护环30深时，保护环30的杂质浓度高，resurf层32的深部处的电位分布由保护环调节，并且resurf层32充分地显现出提高耐压的效果。

主权项

一种垂直半导体装置，包括：元件区和当半导体基板处于平面视图时围绕所述元件区的外围区，其中，所述元件区包括：形成在所述半导体基板上的前表面电极，形成在所述半导体基板的后表面上的后表面电极，向所述前表面电极导通的前表面侧第一导电型区，向所述后表面电极导通的后表面侧第一导电型区，将所述前表面侧第一导电型区和所述后表面侧第一导电型区分离的第二导电型区，以及栅电极，所述栅电极在将所述前表面侧第一导电型区和所述后表面侧第一导电型区分离的位置处隔着栅极绝缘膜而与所述第二导电型区对置；并且所述栅电极的电压改变所述前表面电极和所述后表面电极之间的电阻；并且所述外围区包括：形成在与所述半导体基板的前表面对置的范围内的第二导电型低杂质浓度层和在与所述半导体基板的所述前表面对置的范围内围绕所述元件区的第二导电型高杂质浓度环状区的多重结构；并且所述第二导电型高杂质浓度环状区从所述第二导电型低杂质浓度层深入延伸至后表面侧。