[发明专利]用于垂直磁性隧道结(MTJ)的混合合成反铁磁层有效
| 申请号： | 201480069456.1 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105830155B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | C·帕克;K·李;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁性隧道结(MTJ)器件包括自由层。该MTJ还包括耦合至自由层的阻挡层。该MTJ还具有耦合至阻挡层的固定层。固定层包括第一合成反铁磁(SAF)多层，其具有第一垂直磁各向异性(PMA)和第一阻尼常数。固定层还包括第二SAF多层，其具有第二垂直磁各向异性(PMA)以及低于第一阻尼常数的第二阻尼常数。第一SAF多层比第二SAF多层更靠近阻挡层。固定层还包括第一和第二SAF多层之间的SAF耦合层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 磁性 隧道 mtj 混合 合成 反铁磁层 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结MTJ器件，包括：自由层；毗邻所述自由层的阻挡层；耦合至所述阻挡层的参考层；以及毗邻所述参考层的固定层，所述固定层包括：混合第一合成反铁磁SAF多层结构，其具有第一垂直磁各向异性PMA和第一阻尼常数，所述混合第一合成反铁磁SAF多层结构包括包含交替的钴层和铂层或交替的钴层和钯层的第一多层叠层以及包含交替的钴层和镍层的第二多层叠层；第二合成反铁磁SAF多层叠层，其具有第二垂直磁各向异性PMA以及低于所述第一阻尼常数的第二阻尼常数，所述第二合成反铁磁SAF多层叠层比所述混合第一合成反铁磁SAF多层结构更靠近所述阻挡层；以及在所述混合第一合成反铁磁SAF多层结构与所述第二合成反铁磁SAF多层叠层之间的合成反铁磁SAF耦合层，其中所述第二垂直磁各向异性PMA低于所述第一垂直磁各向异性PMA。
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